產品特色:

• UPE 超高潔淨濾膜 (UPE Membrane): 採用 疏水性 UPE (Ultra-High Molecular Weight Polyethylene) 濾膜，具備優異的本徵潔淨度 (Good Initial Cleanliness) 與低顆粒脫落特性，是處理高敏感度光化學品的最佳材質。

• 2nm 先進製程對應 (2nm Retention): 針對先進製程節點 (Advanced Nodes) 的嚴苛需求，提供低至 2nm 的過濾精度，能有效去除光阻液中極微小的微粒與軟質膠體 (Gels)，大幅降低晶圓缺陷。

• 極低析出物背景 (Low Extractables): 嚴格控制材料純度，確保極低的金屬離子 (Low Metal) 與有機萃取物 (Organic Extractables) 釋出，避免濾芯本身成為光刻製程的二次汙染源。

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產品介紹:

在半導體黃光微影 (Photolithography) 製程中，光阻液 (Photoresist) 的品質直接決定了線路圖形的精確度。隨著製程微縮至 7nm 以下，傳統濾芯已難以攔截關鍵的「軟質膠體 (Gels)」與奈米級雜質。

半導體級 UPE 折疊濾芯 是專為 SEMI-Photo 製程 打造的終極過濾方案。我們選用 UPE 作為核心濾材，因其對光阻溶劑具有極佳的化學相容性，且表面特性不易吸附光阻中的有效成分。半導體級 UPE 折疊濾芯 提供從 2nm 到 0.2µm 的完整精度選擇，搭配高流速的大面積摺疊結構，確保在過濾高黏度光阻或流動相溶劑時，仍能維持穩定的流量與長壽命。

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技術規格表 Spec:

• 濾膜材質: 疏水性 UPE (Hydrophobic UPE)

• 支撐層/核心/外罩: HDPE (High-Density Polyethylene)

• 密封圈 (O-ring): EPDM / TEV

• 過濾精度 (Removal Rating): 2nm, 5nm, 10nm, 20nm, 30nm, 50nm, 0.1µm, 0.2µm

• 有效過濾面積 (每10英吋):

  • 1.2 m²

  • 1.8 m²

• 最大正向壓差: 0.34 MPa (49 psi) @ 25°C

• 最高使用溫度: 40°C (104°F)

• 包裝方式: 乾式包裝 (Dry) 或 超純水預濕潤 (Pre-wet by UPW)

• 完整性測試: 100% 出廠完整性檢測

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優勢:

• 2nm 極限過濾: 市場上少數能提供穩定 2nm 攔截效率的產品，專為解決先進黃光製程中的細微 Defect 而生。

• 軟質膠體 (Gel) 控制: UPE 材質特性使其在攔截光阻內的凝膠狀汙染物 (Gels) 方面表現優於 PTFE 或 Nylon，是光阻過濾的首選材質。

• 低金屬與有機溶出: 經過特殊清洗製程，確保極低的金屬與有機溶出物背景，符合高純度化學品 (High Purity Chemicals) 的嚴格標準。

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Target Applications (應用場景):

• 光阻液過濾 (Photoresist Filtration): ArF, KrF, I-line 等各類光阻液的終端過濾。

• 光刻溶劑 (Photo Solvents): 顯影液 (Developer)、光阻剝離液 (Stripper)、邊緣清洗液 (EBR)、削減液 (Thinner) 的精密過濾。

• 高純度化學品: 需要極低金屬析出與有機溶出的電子級溶劑過濾。

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