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半導体グレードPPデプスフィルターカートリッジ

半導体グレードPPデプスフィルターカートリッジ

製品ID: semi-grade-pp-depth-filter|Semi-grade PP

半導体のCMP(化学機械研磨)プロセス向けに設計した、ハイグレードPPデプスフィルターカートリッジです。独自の3D傾斜構造とナノファイバー技術を採用し、スクラッチの原因となる大きな凝集粒子(Agglomerates)を的確に捕捉しながら、研磨に有効な砥粒は通過させ、スラリー(Slurry)の粒子径分布を変えずに維持します。ろ過精度は50nm~150µmで、CMPの歩留まり向上とコスト削減に最適なソリューションです。

  • 独自の3D傾斜構造とナノファイバー技術
  • スクラッチの原因となる凝集粗大粒子(Agglomerates)を的確に捕捉
  • 有効砥粒は通過させ、スラリーの粒度分布を維持
  • ろ過精度70nm~1.0µm
  • CMPプロセスの歩留まり向上とコスト削減のための設計
ろ過精度
50 nm – 150 µm
最高使用温度
80 °C (176 °F)
長さ
10" / 20"
公称外径
Ø64 mm / Ø70 mm
半導体CMP(化学機械研磨)プロセス
CMPスラリーのろ過
スクラッチの原因となる凝集粗大粒子の除去
スラリーの粒度分布の維持
ろ材 / メンブレン
特許取得の3D複合グラジエントデプス型ポリプロピレンろ材。外層(上流側)は連続メルトブローのマイクロファイバー、内層(下流側)はナノファイバーのワインド層で、両層の間で孔径が連続的に小さくなり、大きな勾配をもつ段階ろ過構造を形成します。
サポート層 / ドレナージ層
ポリプロピレン製サポート層、全工程で界面活性剤・バインダー不使用(有機物の溶出を防止)
ケージ・コア・エンドキャップ
ポリプロピレン製コアおよびエンドキャップ(オールPP構造、金属部品なし)
シール / Oリング
EPDM O-ring
ろ過精度
50 nm / 70 nm / 0.1 µm / 0.2 µm / 0.3 µm / 0.5 µm / 0.7 µm / 1 µm / 3 µm / 5 µm / 10 µm / 25 µm / 40 µm / 150 µm
除去効率
極細繊維の内層が欠陥の原因となる大粒子を高い捕捉率で除去し、必要な砥粒は通過させます。大きな勾配をもつ設計により、ろ過効率と寿命を二者択一ではなく同時に最適化しています。
公称外径
Ø64 mm / Ø70 mm
長さ
10" / 20"
エンドキャップ / 接続形状
222フラット(コードN)、両端開放・フラットガスケット(コードF)
最高使用温度
80 °C (176 °F)
最大順方向差圧
0.52 MPa(75 psi)@ 25 °C、0.19 MPa(27 psi)@ 82 °C
最大逆方向差圧
0.21 MPa(30 psi)@ 25 °C
湿潤・フラッシング
疎水性PPろ材のため、使用開始前にプロセス液または超純水でフラッシングとエア抜きが必要です。超純水プレウェット包装を指定すれば、そのまま装置に装着できます。
溶出物・清浄度
電子グレード(コードE)の清浄度を指定可能。クリーンルーム内で製造・包装し、導電率が回復するまで超純水でリンスします。
包装形態
ドライ包装、超純水プレウェット包装
規制適合・認証
クリーンルーム内で製造・検査・包装

注:実際の耐薬品性および寿命は、薬液濃度、温度、流量、差圧、上流側の汚染負荷、ハウジング設計によって変動します。実際のプロセス条件でのサンプル評価をお勧めします。

型番の例
JY
-CM31
-70
-R70
-20
-T2E
JY
浚淵科技
CM31
メルトブローまたはロール巻きのPPデプスろ材
70
Ø70 mm
R70
70 nm
20
20"
T2E
222/フラット|EPDM Oリング
各セグメントの選択肢
01

ろ材製法(シリーズコードの後に付加)

コード仕様
Dメルトブローデプス式(汚れ保持容量最大)
Rロール巻き式(捕捉効率最高)

例:JY-CM31R-70-R70-20-T2Eはロール巻き式です。2種類の製法でサンプルを並行評価し、スクラッチ数と寿命を比較することをお勧めします。

02

外径

コード仕様
64Ø64 mm
70Ø70 mm
03

ろ過精度

コード仕様
R5050 nm
R7070 nm
P100.1 µm
P200.2 µm
P300.3 µm
P500.5 µm
M0011 µm
M0033 µm
M0055 µm
M01010 µm
M02525 µm
M04040 µm
M150150 µm
04

長さ

コード仕様
1010"
2020"
05

エンドキャップ形状

コード仕様
T2222/フラット
T6226/フラット
F2222/フィン
DO両端開放(DOE)
06

Oリング材質

コード仕様
VTEV(変性エチレンプロピレンゴム)
EEPDM

すべての組み合わせが常備品とは限らず、一般的でない組み合わせは受注生産品の納期となります。ご発注前に浚淵科技の営業担当までご確認ください。

両端開放 フラット(DOE)
両端開放 フラット(DOE)図は代表型番です。実際の外径と長さは下の寸法表をご確認ください。← 左右にスワイプすると図全体を表示できます
エンドキャップ形状 / 公称長さØ(公称外径)A(全長)
222フラット(N) 10"Ø69 mm264 ± 1 mm
222フラット(N) 20"Ø69 mm512 ± 1 mm
両端開放フラットガスケット(F) 10"Ø69 mm254 ± 2 mm
両端開放フラットガスケット(F) 20"Ø69 mm508 ± 2 mm

← 左右にスワイプするとすべての列を表示できます

A = 全長。図中のB(エンドキャップシール面間距離)とC(有効ろ材長)はエンドキャップ形状により異なります。必要に応じて図面をご提供します。

70 nm0.1 µm0.3 µm0.5 µm0.7 µm1.0 µm05.0010.015.020.0LPM02.004.00GPM015.030.045.060.075.090.0kPa05.0010.0psi

← 左右にスワイプするとグラフ全体を表示できます

超純水 25 °C、10"カートリッジ1本、清浄時の初期差圧 右軸は同じ値を psi で表示しています。

0.2 µmの曲線は0.1 µmと0.3 µmの間に位置するため、図の見やすさを優先して省略しています。

データ表を見る
LPM / GPM70 nm0.1 µm0.3 µm0.5 µm0.7 µm1.0 µm
5.00 / 1.3221.418.915.312.710.89.15
10.0 / 2.6442.837.830.525.421.618.3
15.0 / 3.9664.256.745.838.132.427.5
20.0 / 5.2885.675.661.050.843.236.6

← 左右にスワイプするとすべての列を表示できます

プロセス上の位置づけ

CMPスラリーろ過の主力モデルです。連続傾斜構造により欠陥の原因となる大きな粒子を効果的に捕捉しながら、スラリーメーカーが設定した平均粒子径と粒子径分布は変えません。ファイナルフィルターの手前に設置してその寿命を延ばすことも、スラリー供給前の最後の関門として直接使用することもできます。

主な特長

連続傾斜構造

ろ材の密度が外側から内側へ連続的に高くなっており、大きな粒子は外層で、細かい粒子は内層に入ってから捕捉されます。汚染物質は表面に堆積するのではなくろ材の厚み全体に分布するため、同じろ過精度の表面ろ過に比べて汚れ保持容量がはるかに大きくなります。

2種類の製法から選択

メルトブローデプスタイプ(型番 D)は汚れ保持容量が最大、ロール巻きタイプ(型番 R)は捕捉効率が最も高く差圧が低めです。両方のサンプルで評価し、実際のスクラッチ数と交換周期を比較してから決定することをお勧めします。

最も広いろ過精度範囲

50nm~150µmを全面的にカバーし、最も精密なファイナルろ過から最も粗い前段での捕捉まで同じ材質プラットフォームで対応できるため、在庫管理と評価を簡素化できます。

スラリーとの適合性

オールPP構造でほとんどのスラリーに適合し、STI、タングステン、銅の各プロセスに対応します。出荷前に超純水でフラッシングし、パーティクルの放出を低く抑えています。

現在、差圧の上昇が速すぎて寿命が足りない場合は、JY-CM32(繊維の傾斜構造を再設計し、汚れ保持容量をさらに向上)またはJY-CM61(外側プリーツ・内側ロール巻きの複合タイプで、面積と捕捉性能を両立)へのアップグレードをご検討ください。
このデプスフィルターはどのようなプロセスに使用しますか?
半導体のCMP(化学機械研磨)プロセス専用に設計されており、CMPスラリーの精密ろ過に使用します。ウェーハのスクラッチの原因となる凝集粗大粒子を捕捉しながら、有効砥粒は通過させます。
ろ過によってスラリーの粒度分布は変わりますか?
変わりません。本フィルターは3D傾斜構造とナノファイバー技術により、凝集した粗大粒子(Agglomerates)のみを捕捉します。有効砥粒はスムーズに通過するため、スラリーの粒度分布は維持されます。
どのようなろ過精度がありますか?
70nm~1.0µmのろ過精度をご用意しています。CMPプロセスのスラリー特性や歩留まり要件に応じて、適切なグレードをお選びいただけます。